电感在射频单片集成电路中具有重要作用，主要具备阻抗转换、谐振、反馈、滤波等功能。随着无线通信技术的迅速发展，电子产品越来越向高速化、微型化，便携化方向发展。由于无源电感占据了射频集成电路大部分的芯片面积，所以如何减小片上无源电感的面积成为现在人们亟待解决的难题。研究得比较多的集成电感的主要是金属互连线功率电感，但其具有占有芯片面积大、品质因数Q低等缺点。因此，采用占面积小的有源电感代替无源电感，是满足射频单片集成电路的途径之一。 在低频电路中，通常有源电感由跨导运算放大器、电阻以及电容来实现。但是由于运放在高频下不具备较高的增益，因此，不适宜在高频下应用。 在射频电路中，必须采用其他的有源器件来构成有源电感。虽然可使用GaAs工艺来实现有源电感 ，但是由于其造价比较昂贵，不适合大规模的生产。SiGe技术具有与成熟的Si工艺兼容，芯片的成本具有较好的竞争力，已经渐渐成为设计射频单片集成电路的主流。 本文采用两个晶体管构成回转器，利用晶体管内部本征电容合成电感。设计了采用不同组态的四种有源电感电路结构，并就其中一个性能较好的电路做了详细的讨论。后采用Jazz 0. 35 μm SiGeBiCMOS工艺，用射频仿真软件ADS进行了验证。 本设计与无源电感相比能极大地减少芯片面积、节约成本，对于射频集成电路具有很高的应用价值。公司网站：联系电话梁生
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