为帮助设计人员解决这些难题，全球领先的高性能功率和移动半导体解决方案供应商飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)发布了非常适合功率转换系统的碳化硅(SiC)技术解决方案，进而拓展了公司在创新型高性能功率晶体管技术领域的领先地位。
飞兆半导体SiC解决方案助您成功
通过在产品组合中引入基于SiC技术的新产品成员，飞兆半导体进一步巩固了其在创新型高性能功率晶体管技术领域的产品领先地位。
飞兆半导体的SiC特性包括：
经过优化的半标准化自定义技术解决方案，可充分利用自身较大的半导体器件与模块封装技术组合
凭借功能集成和设计支持资源简化工程设计难题的先进技术，可在节约工程设计时间的同时大限度地减少元器件数量。
具有尺寸、成本和功率优势的较小型先进封装集成了领先的器件技术，可满足器件制造商和芯片组供应商的需求
在飞兆半导体SiC组合中首先要发布的一批产品是先进的SiC双极结型晶体管(BJT)系列，该系列产品可实现较高的效率、电流密度和可靠性，并且能够顺利地进行高温工作。通过利用效率出色的晶体管，飞兆半导体的SiCBJT实现了更高的开关频率，这是因为传导和开关损耗较低(30-50%)，从而能够在相同尺寸的系统中实现高达40%的输出功率提升。
这些强健的BJT支持使用更小的电感、电容和散热片，可将系统总体成本降低多达20%。这些业界领先的SiCBJT性能出众，可促进更高的效率和出色的短路及逆向偏压安全工作区，将在高功率转换应用的功率管理优化中发挥重大作用。
飞兆半导体还开发了即插即用的分立式驱动器电路板（15A和50A版本），作为整套碳化硅解决方案的一部分，与飞兆半导体的先进SiCBJT配合使用时，不仅能够在减少开关损耗和增强可靠性的条件下提高开关速度，还使得设计人员能够在实际应用中轻松实施SiC技术。飞兆半导体为缩短设计时间、加快上市速度，还提供了应用指南和参考设计。应用指南可供设计人员获取SiC器件设计所必需的其他支持；参考设计有助于开发出符合特定应用需求的驱动器电路板。公司网站： 联系电话梁生
