II.分析升压转换器中采用传统的TO247封装的MOSFET
A.开关瞬态下的MOSFET操作时序
要分析快速开关MOSFET中的封装寄生电感产生的影响，必须十分理解MOSFET工作处理。硬开关关断通常出现在硬开关拓扑和零电压开关拓扑中。本小节将逐步分析MOSFET关断瞬态操作。
当驱动器发出关断信号后，即开始阶段1 [t=t1]操作，栅极与源极之间的MOSFET电容器Cgs将开始放电。此时，MOSFET阻断特性保持不变。这个t1阶段被称为延时，它表征着MOSFET的响应时间。当MOSFET栅源电压Vgs达到栅极平台电压Vgs(Miller)时，这个阶段便告结束。
当Vgs与Vgs(Miller) 相等之后，将进入阶段2 [t=t2]，在此期间，其电压水平将保持不变。负载电流将对漏极与源极之间的MOSFET电容器Cds进行充电，以重建空间电荷区。这个阶段将一直持续至MOSFET漏源电压Vds达到电路输出电压时为止。
阶段3 [t=t3] ，Cgs将继续放电。漏电流Id和Vgs开始线性下降，阻断MOSFET导通通道。当Vgs 与栅极阈值电压Vgs(th)相等，并且Id变为零时，这个阶段即结束。这个阶段结束后，MOSFET将完全关断。
阶段4 [t=t4] ，栅极驱动对Cgs持续放电，直至Vgs电压水平变为零。
B.传统的TO247封装MOSFET的开关瞬态特性分析
利用升压转换器，评估了封装寄生电感对MOSFET开关特性的影响。传统的TO247 MOSFET等效模型的详情，以及升压转换器电路和寄生电感的详情。对于MOSFET模型， 3个电容为硅结构，分别位于各个连接引脚之间：栅漏电容Cgd、漏源电容Cds和栅源电容Cgs。键合丝产生了MOSFET寄生电感：栅极寄生电感Lg1、漏极寄生电感Ld1和源极寄生电感Ls1。这个模型也包含了电路板电路布局产生的杂散电感：Ld2、Ld3、Lg2和Ls2。分析中，LS等于Ls1+Ls2，Lg等于Lg1+Lg2，RG等于Int.Rg+Ext.Rg。
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