对于超薄介质，由于存在大的漏电和非线性，通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容(Cox)。然而，使用高频电路模型则能够提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点，对于高性能/低成本数字电路，RF电路，以及模拟/数模混合电路中的器件，这方面的挑战也在增加。
减少使用RF技术的建议是在以下特定的假设下提出来： 假设RF技术不能有效地应用，尤其是在生产的环境下，这在过去的确一直是这种情况。
但是，现在新的参数测试系统能够快速、准确、可重复地提取RF参数，几乎和DC测试一样容易。重要的是，通过自动校准、去除处理(de- embedding)以及根据待测器件(DUT)特性进行参数提取，探针接触特性的自动调整，已经能够实现RF的完整测试。这方面的发展使得不必需要RF 专家来保证得到好的测试结果。在生产实验室，根据中间测试结果或者操作需要，自动探针台和测试控制仪能够完成过去需要人为干涉的事情。世界范围内，已经有 7家半导体公司验证了这种用于晶圆RF生产测试的系统。
RF测试的应用
无论你是利用III-V簇晶圆生产用于手机配件的RF芯片，还是利用硅技术生产高性能模拟电路，在研发和生产中预测终产品的性能和可靠性，都 需要晶圆级RF散射参数(s)的测量。这些测试对DC数据是重要的补充，相对于单纯的DC测试，它用更少的测试却能提供明显更多的信息。实际上，一个两通 道的s参数扫描能同时提取阻抗和电容参数，而采用常规DC方法，则需要分开测试，甚至需要单独的结构以分离工艺控制需要的信息。
功放RF芯片的功能测试是这种性能的另外一种应用。这些器件非常复杂，然而价格波动大。生产中高频低压的测试条件排除了通常阻碍晶圆级测试的功 耗问题。也不存在次品器件昂贵的封装费用。已知良品芯片技术也可以应用于晶圆级测试中，它能够明显改进使用RF芯片的模块的良率。
芯片制造商也可以利用晶圆级RF测试来提取各种高性能模拟和无线电路的品质因数。比如电感滤波器、混频器以及振荡器。SoC(System-on-chip)器件制造商希望这种子电路测试技术能够降低总体的测试成本。
130nm节点以下的高性能逻辑器件中，表征薄SiO2和高介电常数(high-k)栅介质的等效氧化层厚度(EOT)非常关键。RF测试在介 电层的建模方面扮演了重要角色，它能够去除掉寄生元件，而这种寄生效应在传统的二元模型中将阻碍C-V数据的正确表示。中高频 (MFCV, HFCV) 电容测量技术不可能因为仪器而对测试引入串联阻抗。
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