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首款碳化硅MOSFET可在电力电子应用中实现超高速切换

2017/10/19

  Littelfuse推出了碳化硅(SiC)MOSFET产品系列,成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.,向成为功率半导体行业的企业再迈出坚定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻(80m?),是双方联手推出的首款由内部设计、开发和生产的碳化硅MOSFET。 该装置针对高频切换应用进行了优化,兼具超低切换损耗与超高切换速度,令传统功率晶体管望尘莫及。

  1200V碳化硅MOSFET的图片

  相比具有相同额定值的硅器件,碳化硅MOSFET系列产品的能效更高,系统尺寸/重量得到缩减,电力电子系统中的功率密度也有所增加。 即便在高温(150°C)下运行,也能发挥的耐用性与性能。

  新型碳化硅MOSFET产品的典型应用包括电源转换系统,例如: 太阳能逆变器、开关模式电源设备、UPS系统、电机驱动器、高压DC/DC逆变器、电池充电器和感应加热。

  “全新碳化硅MOSFET系列产品是一个重要里程碑,标志着我们向成为功率电感半导体领先组件供应商又迈进了一步。”Littelfuse电子业务部功率半导体产品营销经理Michael Ketterer表示, “我们的碳化硅MOSFET应用支持网络随时帮助客户提升现有设计的性能,并协助客户开发新的电源转换产品。”

  LSIC1MO120E0080系列碳化硅MOSFET具有以下关键优势:

  ? 超高切换速度可提高效率和电源密度。

  ? 切换损耗降低,有助提高切换频率。

  ? 更高的工作温度可确保器件在广泛的高温应用中更加可靠耐用。

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梁先生12:00:11
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